FQD1N80TM
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQD1N80TM |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.2893 |
5000+ | $0.2693 |
12500+ | $0.2594 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Tc) |
FQD1N80TM Einzelheiten PDF [English] | FQD1N80TM PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
FQD1N80 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
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2024/06/6
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2023/12/20
![]() FQD1N80TMFairchild/ON Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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